Лазерное технологическое оборудование

CRYSTALAS CVL - C
Установка для резки и сверления отверстий

Установка «CRYSTALAS CVL – C» состоит из лазера на парах меди CVL-10 и камеры, содержащей оптическую систему и координатный стол для перемещения объекта. Лазер укомплектован телескопическим неустойчивым резонатором, который позволяет получать расходимость излучения близкую к дифракционному пределу. Это в свою очередь дает возможность формировать на поверхности обрабатываемого объекта пятно лазерной обработки диаметром от 10 до 50 мкм с плотность мощности до 10>11 Вт/см.кв. В сочетании с частотой следования импульсов 16000 Гц это позволяет проводить резку и сверление практически любых материалов толщиной до сотен микрометров с высокой скоростью (до 100 мм в секунду) с точностью 10 мкм.
Важным применением установки «CRYSTALAS CVL – C» является скрайбирование полупроводниковых и сапфировых подложек с последующим их разделением на кристаллы. Ширина и глубина «скрайбированной дорожки» составляет несколько десятков микрометров.

В установке реализованы следующие режимы работы:

Материалы	Металлы, пластмассы, полупроводники, керамика, сапфир
Толщина материала	до 1 мм
Минимальный диаметр отверстия	30 мкм
Минимальная ширина реза	10 мкм
Поле обработки	100 х 100 мм
Скорость резки	не более 100 мм в секунду
Координатная и оптические системы	X,Y - координатный стол; Х,Y сканатор (по заказу); объектив f=100 мм; телескопический резононатор
Тип лазера	лазер на парах меди CVL-10
Охлаждение	воздушное
Питание	220 В, 50 Гц, одна фаза
Потребляемая мощность	3 кВт
Габаритные размеры	1200 х 300 х 600 мм
Вес	75 кг
Исполнение	настольное

CRYSTALAS CVL - M
Установка для лазерной маркировки изделий.

Установка «CRYSTALAS CVL – М» состоит из лазера на парах меди CVL-10, гальванометрического Х,У – сканатора для перемещения луча лазера по поверхности неподвижного объекта и фокусирующей оптической системы.
Лазер укомплектован телескопическим неустойчивым резонатором, который позволяет получать расходимость излучения близкую к дифракционному пределу. Это в свою очередь дает возможность формировать на поверхности обрабатываемого объекта пятно лазерной обработки диаметром от 10 до 50 мкм с плотность мощности до 10>11 Вт/см.кв. В сочетании с частотой следования импульсов 16000 Гц это позволяет проводить маркировку практически любых материалов скоростью до 100 мм в секунду, с точностью 10 мкм.

Материалы	Металлы, пластмассы, полупроводники, керамика, сапфировые пластины
Минимальная ширина линии	10 мкм
Поле маркировки при неподвижном объекте	50 х 50 мм
Скорость	Более 10 знаков в секунду
Оптическая система	Х, Y сканатор, объектив f = 100 мм, телескопический резонатор
Тип лазера	лазер на парах меди CVL-10
Охлаждение	воздушное
Питание	220 В, 50 Гц, одна фаза
Потребляемая мощность	3 кВт
Габаритные размеры	1200 х 300 х 600 мм
Вес	75 кг
Исполнение	Настольное

CRYSTALAS CVL - MM
Установка для микромаркировки алмазов и других материалов

Установка «CRYSTALAS CVL – ММ» предназначена для формирования на поверхности различных материалов невидимой не вооруженным глазом цифро-буквенной и графической информации. Процесс основан на поверхностном испарении материала или на изменении его оптических свойств.
Установка «CRYSTALAS CVL – ММ» состоит из лазерного усилителя на парах меди – это лазер CVL-10 без традиционных зеркал резонатора и проекционной оптической системы.

Заданный рисунок маркировки формируется с помощью управляемой электро-оптической или механической маски, изображение которой усиливается по интенсивности в лазерном усилителе и передается на обрабатываемый объект.
Использование лазерного усилителя на парах меди позволяет с помощью програмируемой электро-оптической матрицы формировать на поверхности практически любых материалов изображения и надписи сверхминиатюрных размеров (от 1 до 300 мкм). Эти невидимые невооруженным глазом изображения можно наблюдать в сильный микроскоп.
Система "CRYSTALAS CVL - MM" используется для "скрытой" микромаркировки любых изделий в том числе алмазов и бриллиантов с целью их сертификации.

Размер поля изображения	1-300 mkm
Минимальная ширина линии	1 mkm
Глубина обработки	до 0,4 mkm
Увеличение системы визуального наблюдения	более 1000x
Тип лазера	Лазер на парах меди
Охлаждение	Воздушное
Питание	220 В, 50-60 Гц
Размеры	1100x400x600 mm
Вес	50 кг

CRYSTALAS - LF
Установка для формирования фотографий и рисунков в прозрачных материалах

Установка "CRYSTALAS - LF" предназначена для производства нового типа адресных изделий – внутренних «лазерных фотографий», совмещенных с адресными объёмными изображениями, например: знаками зодиака, свадебной символикой, храмами и адресным текстом, например, поздравительным, а так же названиями и логотипами компаний и учреждений, в толсто-листовом оптическом стекле.
Принцип действия установки основан на процессе получения внутри толщи стекла рассеивающей области – «точки», за счет концентрации лазерного излучения. Размер этой «точки» составляет несколько десятков микрометров. Обычно эта «точка» представляет собой локальный звездообразный раскол, что может стать причиной напряжений и привести к разрушению материала. В отличие от других, в установке "CRYSTALAS - LF" – в «точке» формируется оплавленная шарообразная зона, что позволяет получать рисунки в несколько миллионов точек фотографического качества.
Из суперпозиции получаемых точек, по принципу принтера, формируется заданный рисунок, фотография, надпись и.т.д. При «перемещении» точки по 3 координатам получается объемное изображение объекта.

Обрабатываемые материалы	Стекло, Пластик
Размер точки	50-300 мкм
Скорость процесса	до 50 точек в секунду
Максимальный размер объекта	2х3 м
Максимальный размер изображения	1.5 х 2 м
Толщина материала	3-20 мм
Тип лазера	Твердотельный YAG-лазер
Габаритные размеры установки, mm	3200x2200x850
Вес, кг	150
Потребляемая мощность, кВт	3

CRYSTALAS - 3D
Установка для изготовления декоративных стеклянных изделий с внутренними изображениями

Изготовление декоративных изделий из оптического стекла, кристаллов и оптически прозрачных пластмасс с внутренними объемными изображениями.

Размер точки	50-300 мкм
Скорость процесса	до 50 точек в секунду
Максимальный размер объекта	100x100x100 мм
Максимальный размер изображения	80х80х80 мм
Тип лазера	Твердотельный YAG-лазер
Габаритные размеры установки, mm	1100x250x500
Вес, кг	75
Потребляемая мощность, кВт	3

CRYSTALAS CVL-MG
Установка для маркировки стеклянных изделий внутри материала

Установка «CRYSTALAS CVL-MG» предназначена для нанесения цифро-буквенной и графической информации внутри толщи стекла готовых стеклянных изделий: банок, бутылок, пробирок, ампул и.т.д.
Установка состоит из мощного лазера на парах меди, гальванометрического ХУ- сканатора, оптической системы и системы программного управления.
Установка "CRYSTALAS CVL-MG" позволяет формировать цифро-буквенную и графическую информацию внутри стекла толщиной не менее 2х мм со скоростью большей чем 10 знаков в секунду.
Маркировка производится при неподвижном объекте
Режимы работы установки "CRYSTALAS CVL-MG" позволяют наносить маркировку в стекле не оптического качества.

МАЛК
Многоцелевой автоматизированный лазерный комплекс

МАЛК представляет собой систему на базе лазерного усилителя на парах меди и предназначен для исследований в области лазерной обработки и контроля материалов.
Особенностью МАЛК является униальная возможность лазерного воздействия на объекты в широком диапазоне плотностей мощности (до 1010 Вт/cм2) и размеров зоны обработки (от 0.7 мкм до 2.5 мм) с одновременным контролем процесса на экране лазерного проектора или монитора. При этом, благодаря лазерному усилителю, яркость изображения объектов на экране достаточна для комфортного наблюдения при увеличении более 1000 крат в хорошо освещенных помещениях.
Используя предлагаемый прибор, исследователи получают уникальную возможность одновременно с визуальным наблюдением микроструктур с увеличением более 1000 крат, проводить локальное лазерное энергетическое воздействие на наблюдаемый объект с дискретностью 0,5 мкм.
Плавная регулировка размеров, формы и энергетических параметров энергетического пучка позволяют воздействовать на выбранные зоны наблюдаемого объекта в широком диапазоне свойств, с целью получения различных эффектов: от фото воздействия и нагрева до испарения материала.
Визуальное наблюдение с синхронной обработкой объекта может производиться одновременно на экране монитора и на большом выносном экране или прямо на стене аудитории для коллективного наблюдения или обучения.
Важной проблемой при визуальном контроле с большими (свыше 1000 крат) увеличениями, является большая лучевая нагрузка на контролируемые структуры. Особенно критичным это является для структур микроэлектроники, биологии и генной инженерии. При использовании данного прибора даже при наблюдении с увеличением несколько тысяч крат на большом проекционном экране, объект подвергается ничтожной лучевой нагрузке за счет использования усилителя яркости изображения.

а - экран проектора, b - лазерный усилитель, с - система управления, d - блок объективов, сменные модули: 1 - блок сменных масок, 2 - блок ЖК матрицы, 3 - блок с изменяемой маской, 4 - блок сверления отверстий

Фокусное расстояние объективов, мм	160	90	30	14
Увеличение лазерного проектора, крат	100	200	500	1000
Поле зрения проектора, мм	1.9х2.5	0.95х1.3	0.4х0.51	0.2х0.25
Разрешающая способность проектора, мкм	6	3	1.5	0.7
Диапазон размеров лазерной обработки, мкм	10-2500	5-1300	2-500	0.7-250
Тип лазера	лазер на парах меди CVL-10
Охлаждение	воздушное
Питание	220 В, 50 Гц, одна фаза
Потребляемая мощность	3 кВт
Габаритные размеры	1200х400х600 мм
Вес	80 кг
Исполнение	Настольное